삼성전자, 세계 최초 40나노 D램 개발

< 앵커멘트 >
삼성전자가 40나노급 D램 개발에 성공했습니다. 세계 최초라고 하는데요, 취재기자 연결합니다.
김경미기자. (네, 삼성전자에 나와 있습니다.)
자세한 소식 전해주시죠.

< 리포트 >

네, 삼성전자가 세계 최초로 40나노급 공정을 적용한 DDR2 D램을 개발했습니다.

지난 2005년 60나노급 D램을 처음으로 선보였던 삼성전자는 2006년 50나노급 개발에 성공한데 이어 약 2년만에 새로운 제품을 개발하게 됐습니다.

40나노급 D램은 50나노급 제품보다 칩 면적이 작아 소형 제품을 제작하는데 더 유리합니다.
 


또 1.2V 동작이 가능해 낮은 전력과 전압으로도 작동이 가능합니다.

1.5V를 사용하는 기존 50나노급 제품보다 소비전력을 30% 이상 줄일 수 있습니다.

이번에 개발한 DDR2 제품은 지난해 12월 D램 제품 중 유일하게 인텔의 제품 인증을 받았고, 올해 1월 노트북에 사용되는 1기가바이트 메모리 모듈 제품도 인증에 성공했습니다.

삼성전자는 올해 40나노급 2기가바이트 DDR3 제품도 개발해 3분기부터 생산을 시작할 계획입니다.

40나노 DDR3제품의 경우 현재 생산되고 있는 50나노급 제품보다 생산성을 60%가량 향상시킬 수 있을 것으로 보입니다.

이번 제품 개발로 삼성전자는 원가 경쟁력에서 독보적인 위치를 차지하게 됐습니다.

현재 50~60 나노급 D램을 양산하고 있는 업체와의 제조 경쟁력 격차를 1~2년 이상으로 확대시킬 것으로 전망됩니다.

지금까지 삼성전자에서 산업부 김경미입니다.