'3나노 웨이퍼' 깜짝 공개 삼성전자… "TSMC 게 섯거라~!"

[앵커멘트]
삼성전자가 3나노 공정으로 만든 웨이퍼를 깜짝 공개했습니다. 3나노 공정 기반의 웨이퍼가 일반에 공개된 것은 이번이 처음인데요. TSMC와의 초미세공정 기술경쟁을 벌이고 있는 삼성전자의 초격차 기술력에 대한 자신감으로 해석됩니다.조은아 기자가 보도합니다.

[기사내용]
최신 나노분야 연구 성과와 다양한 첨단 응용제품을 선보이는 '나노코리아' 전시회.

삼성전자가 이 곳에서 차세대 반도체의 키를 쥐고 있는 3나노 공정 기반 GAA 웨이퍼를 깜짝 공개했습니다.

지난해 세계 최초로 3나노 공정 기술 개발에 성공한 이후 3나노 공정 기반의 제품을 일반에 공개한 것은 이번이 처음입니다.

GAA는 Gate-All-Around의 약자로 누설전류와 같은 반도체 미세화의 한계를 극복할 수 있는 기술입니다.

현재 첨단 반도체 공정에 사용되고 있는 '핀펫' 구조에서 한 단계 더 진화된 차세대 트랜지스터 구조입니다.

최근 한창 설비 구축이 진행되고 있는 5나노 공정과 비교하면 3나노 공정에선 칩 면적을 약 35% 이상 줄일 수 있고, 소비전력을 50% 감소시킵니다.

처리속도 성능도 약 30% 향상시킬 수 있습니다.

현재 5나노 이하 공정 기술을 확보한 곳은 삼성전자와 대만의 TSMC 뿐입니다.

삼성전자와 TSMC는 5나노 다음 차세대 공정인 3나노 시장을 선점하게 위해 치열하게 경쟁하고 있습니다.

3나노 공정 기술 개발을 삼성전자가 먼저 했다면, TSMC는 최근 한발 더 나아가 공장 설비 구축을 시작하면서 엎치락 뒤치락하는 모양새입니다.

이런 상황에서 삼성이 3나노 기반 제품을 선보인 것은 초격차 기술에 대한 자신감을 과시한 것으로 보입니다.

[박재근 / 한국반도체디스플레이기술학회장 : 파운드리 회사는 누가 먼저 이것을 공정을 빨리 개발해서 양산 체제를 갖추느냐에 따라 주문 확률이 커지는 것이죠. 지난 10년간은 삼성이 TSMC를 따라가기 위해서였다면 지금은 동등한 위치에서 가고 있다는 게 중요한 메시지고... ]

3나노 공정기술은 올해 이재용 부회장이 3나노 반도체 개발현장 방문으로 새해 업무를 시작한데 이어 지난달에도 연구소를 찾아 직원들을 격려했을 만큼 삼성전자가 공을 들이는 분야입니다.

삼성전자가 초미세공정 기술개발 속도전을 통해 파운드리 시장 구도 재편에 성공할 수 있을 지 주목됩니다.

머니투데이방송 조은아입니다.


조은아 머니투데이방송 MTN 기자