DB하이텍, 빨라지는 신사업 시계..'GaN·SiC' 투자 속도

DB하이텍 사옥 전경./사진제공=DB하이텍

DB하이텍이 신사업 분야인 전력반도체 투자에 힘을 실을 전망이다. 주력 사업인 8인치 파운드리만으로는 성장에 한계가 따르는 만큼, GaN(질화갈륨)·SiC(실리콘카바이드) 부문 경쟁력 확보에 본격 나선 것이다. 최근 1대 주주인 'DB InC'가 지배력을 더욱 공고히 하면서, 발빠른 의사결정이 이뤄지고 있다는 관측이 나온다.

19일 반도체업계에 따르면 DB하이텍은 전력반도체 부문 투자 성과가 발생하고 있는 것으로 파악된다. 통상적으로 양산 체제 진입 전 시제품 생산과 잠재 고객사들로부터 수주 확보를 위한 작업이 진행되는 데, 이 부분에서 긍정적인 진척이 있는 것으로 전해졌다. 특히 GaN에 대한 투자 성과가 두드러지고 있다.

DB하이텍 사정에 밝은 시장 한 관계자는 "최근 GaN에 대한 투자 성과가 생각보다 빠르게 나타나고 있다"며 "내부적으로 GaN에 대한 투자 규모를 더 늘리는 방안을 고려 중인 것으로 안다"고 말했다.

DB하이텍이 올해 신사업에 본격 힘을 싣는 까닭은 'DB-KCGI' 간 경영 분쟁이 마무리된 것도 한 몫한 것으로 풀이된다. 그동안 DB하이텍 1대 주주인 DB InC는 지분율이 12.42%에 불과해 지배력이 불안정했다. 지난해 행동주의펀드 KCGI가 2대주주로 합류하면서, 양 측 사이에서 경영권 분쟁 가능성도 제기됐다.

하지만 지난해 말 DB InC가 KCGI의 DB하이텍 보유지분 5.63%를 매입하게 되면서, 이같은 우려가 조금 완화된 상황이다. DB InC로서는 이제 DB하이텍 경영에만 집중할 수 있는 판이 깔린 셈이다.

앞서 DB하이텍은 지난해 지속가능성장 전략과 관련해 12인치(300㎜) 파운드리와 실리콘카바이드(SiC)와 질화갈륨(GaN) 사업에 진출한다는 계획을 내놨다. 이 중 12인치 파운드리 부문은 막대한 초기투자비용 탓에 사실상 무기한 연기된 상태다. 그 대신 전력반도체 GaN과 SiC 부문에 집중하기로 했다.

회사 측은 지난해 10월 전력반도체 분야 초기 투자를 단행했다. 기술·공정 개발, 장비 매입 등에 비용이 집행됐다. 디바이스 제조에 필요한 핵심장비를 도입해 시험생산 체제 기반을 마련했다. 특히 GaN은 오는 2025년 양산을 목표로, SiC보다 2년 가량 먼저 사업 전개에 나설 예정이다.

DB하이텍은 최근 전력반도체 전문가 알리 살리 전 온세미 기술개발 수석 디렉터(박사)를 영입하고 GaN 공정 개발 전담조직도 총괄하도록 했다.

차세대 전력반도체로 불리는 GaN·SiC는 고전압, 고전류, 고온에서도 잘 버틸 수 있도록 설계됐다. 기존 실리콘(Si) 반도체의 자리를 빠르게 대체할 것이란 장밋빛 전망이 제기되고 있다.

실제로 GaN 시장은 2022년 1억8,500만 달러에서 오는 2028년 20억3,500만 달러(2조7,200억 원)로 연평균 약 49% 가량 고성장세가 점쳐진다. SiC 시장 또한 같은 기간 연평균 약 31% 성장할 것으로 전망됐다.

설동협 MTN 머니투데이방송 기자